quarta-feira, 17 de janeiro de 2018
MEMÓRIAS DDR 3
Introdução
As
memórias DDR3 (Double Data Rate 3)
chegaram ao mercado para substituir o padrão DDR2, tal como este substituiu o
tipo DDR. A motivação dessa mudança é, como sempre, a necessidade de melhor
desempenho.
Principais características das
memórias DDR3
As
memórias DDR se destacam em relação ao padrão anterior - memórias SDR SDRAM -
porque são capazes de realizar duas operações de leitura ou escrita por ciclo
de clock (em poucas palavras, a velocidade com a qual o processador solicita
operações. As memórias DDR2, por sua vez, dobram essa capacidade, realizando
quatro operações por ciclo de clock.
O
tipo DDR3 segue o mesmo caminho: dobra a quantidade de operações por vez em
relação ao padrão anterior, ou seja, realiza 8 procedimentos de leitura ou
gravação a cada ciclo de clock, quatro no início deste e outros quatro no
final.
Para
compreender melhor este aspecto, considere que, quando nos referimos ao ciclo de
clock, estamos tratando da comunicação da memória com o exterior. Porém, a
memória trabalha com uma frequência própria internamente.
Levando
essa característica em conta mais a questão das operações por ciclo de clock,
temos o seguinte cenário:
-
Um módulo DDR-400, por exemplo, funciona internamente a 200 MHz, mas oferece
400 MHz por trabalhar com duas operações por ciclo (2 x 200);
-
Um pente DDR2-800, que também funciona internamente a 200 MHz, pode oferecer
800 MHz, já que faz uso de quatro operações por vez (4 x 200).
-
Seguindo a mesma lógica, podemos tomar como exemplo um módulo DDR3-1600 que,
assim como os anteriores, funciona internamente a 200 MHz, no entanto, por
utilizar 8 operações por ciclo de clock, pode oferecer 1.600 MHz (8 x 200).
Vale frisar que, em termos gerais, as taxas da frequência
de comunicação externa são quatro
vezes maiores que o clock interno. Com isso, um módulo que
trabalhar internamente a 200
MHz funciona externamente a 800 MHz, por exemplo.
Há,
no entanto, um aspecto onde a memória DDR3 leva desvantagem: a latência, em
poucas palavras, o tempo que a memória leva para fornecer um dado solicitado.
Quanto menor esse número, melhor. Eis as taxas mais comuns para cada tipo de
memória:
- DDR: 2, 2,5 e 3 ciclos de clock;
- DDR2: 3, 4 e 5 ciclos de clock;
- DDR3: 7, 6, 8 ou 9 ciclos de clock.
- DDR2: 3, 4 e 5 ciclos de clock;
- DDR3: 7, 6, 8 ou 9 ciclos de clock.
Perceba
que, com isso, um módulo DDR2 pode gastar até 5 ciclos de clock para começar a
fornecer um determinado dado, enquanto que no tipo DDR3 esse intervalo pode ser
de até 9 ciclos.
Para
conseguir diminuir a latência, fabricantes fazem uso de vários recursos nos
módulos DDR3, como um mecanismo de calibragem de sinal elétrico, que
proporciona maior estabilidade nas transmissões.
No
que se refere ao consumo de energia, as memórias DDR3 conseguem levar vantagem
em relação às tecnologias anteriores: por padrão, trabalham com 1,5 V, contra
1,7 V e 2,5 V dos tipos DDR2 e DDR, respectivamente. É importante destacar, no
entanto, que esses valores podem ser aumentados ligeiramente pelo fabricante
para atender a determinadas necessidades - alcançar um determinado nível de
clock, por exemplo.
Dual-Channel e Triple-Channel
Placa-mãe com suporte a Triple-Channel - Imagem por
Asus
Mas,
a partir da linha de processadores Intel Core i7, as memórias DDR3 passaram a
contar com uma nova modalidade: Triple-Channel. Como o nome
indica, neste modo, as memórias passam a trabalhar com o triplo de dados por
ciclo. Assim, se cada canal transmite 64 bits, temos então um total de 192 bits
por vez. Além disso, se no modo Dual-Channel é necessário utilizar dois pentes
de memória com as mesmas especificações, no Triple-Channel são necessários
três. Isso indica que a placa-mãe necessita contar não só com um chipset
compatível (o mesmo vale para o processador) como também possuir mais slots de
memória, tornando tais dispositivos mais caros ao usuário.
Da mesma forma que é possível encontrar kits com pentes de memória
para Dual-Channel, há fabricantes disponibilizando kits para Triple-Channel.
Aspectos físicos das memórias DDR3
Assim
como as memórias DDR e DDR2, os módulos DDR3 contam com uma ranhura, isto é,
com uma pequena divisão entre seus terminais de contato. Para evitar confusão
entre os padrões, cada tipo possui esse espaço em uma posição diferente. No
caso das memórias DDR3, a ranhura está mais à esquerda. A imagem abaixo mostra
um comparativo entre os três tipos:
Comparativo: memórias DDR3, DDR2 e DDR -
Imagens por Kingston
As
memórias DDR3 seguem o exemplo do tipo DDR2: geralmente são encontradas com
chips que utilizam encapsulamento CSP (Chip Scale Package) com
encaixes FBGA (Fine pitch Ball Grid Array), cuja principal
característica é o fato de os terminais do chip serem pequenas soldas. A
vantagem disso é que o sinal elétrico flui mais facilmente e há menos chances
de danos físicos. A memória DDR, por sua vez, é frequentemente encontrada em
encapsulamento TSOP (Thin Small Outline Package).
Nos notebooks, as memórias geralmente
possuem dimensões diferentes - Na foto, um pente DDR3 em um Macbook Pro
O
número de contatos dos módulos DDR3 também é o mesmo dos pentes DDR2: 240. O
tipo DDR possui 184.
On-Die Termination (ODT)
Este
é mais um ponto onde as memórias DDR3 são semelhantes ao padrão DDR2: ambas
trabalham com um recurso denominado On-Die Termination (ODT).
Trata-se de uma tecnologia que ajuda a evitar erros de transmissão. Como?
Os
sinais elétricos sofrem um efeito de retorno quando chegam ao final de um
caminho de transmissão. Grossamente falando, é como se a energia batesse em uma
parede no final de seu caminho e voltasse. Por motivos diversos, esse efeito
também pode ocorrer no "meio do caminho". No caso das memórias, esse
problema, conhecido como "sinal de reflexão", pode significar perda
de desempenho e necessidade de retransmissão de dados.
Nas
memórias DDR, esse problema é tratado por meio de um método que reduz o sinal
de reflexão a partir de resistores que são adicionados à placa-mãe. É desse
dispositivo que vem o nome "terminação resistiva".
Nas
tecnologias DDR2 e DDR3, a terminação resistiva na placa-mãe não se mostrou eficiente,
pelas características físicas desses tipos de memória. Diante desse problema,
foi necessário estudar alternativas e então surgiu o ODT. Nesta tecnologia, a
terminação resistiva fica dentro do próprio chip de memória. Com isso, o
caminho percorrido pelo sinal é menor e há menos ruídos, isto é, menos perda de
dados. Até a placa-mãe acaba se beneficiando dessa tecnologia, já que um
componente deixa de ser adicionado, reduzindo custos de produção.
Nomenclatura das memórias DDR3
Tal
como suas antecessoras, as memórias DDR3 seguem duas denominações: DDR3-XXXX e PC3-YYYY,
onde YYYY indica a quantidade de megabytes transferidos por segundo (valor
máximo teórico). A tabela a seguir mostra as especificações mais comuns:
Memória
|
Nome Alternativo
|
Frequência interna
|
Frequência externa
|
Taxa de transmissão
|
DDR3-800
|
PC3-6400
|
100 MHz
|
400 MHz
|
6.400 MB por segundo
|
DDR3-1066
|
PC3-8500
|
133 MHz
|
533 MHz
|
8.533 MB por segundo
|
DDR3-1333
|
PC3-10600
|
166 MHz
|
667 MHz
|
10.667 MB por segundo
|
DDR3-1600
|
PC3-12800
|
200 MHz
|
800 MHz
|
12.800 MB por segundo
|
DDR3-2000
|
PC3-16000
|
250 MHz
|
1000 MHz
|
16.000 MB por segundo
|
DDR3-2133
|
PC3-17000
|
266 MHz
|
1066 MHz
|
17.066 MB por segundo
|
Faltou
explicar o significado de XXXX, não é mesmo? Esse número faz alusão a uma
medida conhecida como megatransfer - em nosso caso,
megatransfer por segundo, isto é, MT/s -, que informa a quantidade de dados
transferidos por vez. Assim, um módulo DDR3-800 indica que o dispositivo trabalha
com até 800 milhões de transferência de dados por segundo.
MEMÓRIAS DDR 2
Introdução
Como
o próprio nome sugere, a memória DDR2 (Double Data Rate 2) é
uma evolução da memória DDR. Entre suas principais características estão o
consumo menor de energia elétrica e maiores taxas de velocidade.
Funcionamento e características das memórias DDR2
A
principal característica das memórias DDR é a sua capacidade de realizar duas
operações por ciclo de clock (em vez de uma, como acontece no padrão anterior
(SDR SDRAM). Tal capacidade não é mero capricho: as memórias precisam ser
rápidas o bastante para acompanhar o desempenho crescente dos processadores. É
por esse mesmo motivo que as memórias DDR2 entraram em cena.
O
tipo DDR2 é mais rápido que o padrão DDR por um conjunto de fatores. Para
começar, realiza quatro operações por ciclo de clock, duas no início deste e
duas no final. O padrão anterior trabalha com duas operações por ciclo.
Módulo de memória DDR2
Para
entender o diferencial deste aspecto, considere o seguinte: até agora, quando
nos referimos ao ciclo de clock, estamos falando da comunicação da memória com
o exterior, isto é, com o seu controlador de memória. Internamente, no entanto,
a memória trabalha com uma frequência própria.
Módulo de memória inserido em um slot
Assim,
um módulo de memória do tipo DDR-400, por exemplo, funciona internamente a 200
MHz, mas oferece 400 MHz por trabalhar com duas operações por vez (2 x 200). Já
uma memória DDR2 que também trabalha a 200 MHz pode contar com 800 MHz, já que
faz uso de quatro operações por ciclo (4 x 200). É por esse motivo que uma
memória DDR-400 e outra DDR2-800 possuem a mesma frequência interna: 200 MHz.
A
frequência para comunicação externa do padrão DDR2, por sua vez, acaba sendo o
dobro do clock interno. Assim, um módulo DDR2-800 trabalha externamente a 400
MHz.
Em
relação à velocidade como um todo, é necessário considerar também o "CAS
Latency" (latência do CAS - Column Address Strobe). Em
poucas palavras, trata-se do tempo que a memória leva para fornecer um dado
solicitado. Assim, quanto menor o valor da latência, mais rápida é a
"entrega".
Nas
memórias DDR, a latência pode ser, em termos gerais, de 2, 2,5 e 3 ciclos de
clock. Nas memórias DDR2, a latência vai de 3 a 5 ciclos de clock. Isso
significa que a memória DDR2 é mais lenta que a DDR? Na prática não, pois as
demais características do padrão DDR2, especialmente seus valores de
frequência, compensam essa desvantagem.
Há
ainda outros parâmetros que devem ser considerados. Um deles é o "Additional
Latency" (AL) ou "latência adicional", um fator utilizado
para permitir que os procedimentos ligados às operações de leitura e escrita
sejam realizado até "expirar" o tempo da latência do CAS mais a
latência adicional. É como se houvesse um aumento do prazo para tais operações.
Assim, a medição da latência deve considerar a soma desses dois parâmetros para
se obter um total.
A memória DDR2 também merece
destaque pelo seu menor consumo de energia elétrica. Enquanto o tipo DDR
trabalha com 2,5 V, a tecnologia DDR2 requer 1,8 V por padrão. Por causa disso,
a memória DDR2 acaba tendo melhor desempenho inclusive no controle da
temperatura.
Aspectos físicos
das memórias DDR2
No
aspecto físico, as memórias DDR2 são parecidas com os módulos DDR, tanto que há
quem pense que uma placa-mãe pode trabalhar com os dois tipos nos mesmos slots,
o que não é verdade. Apesar da semelhança, há diferenças notáveis.
Para
começar, o tipo DDR tem 184 terminais, enquanto que o DDR2 utiliza 240
contatos. Além disso, aquela pequena abertura que há entre os terminais está
posicionada em um local diferente nos pentes de memória DDR2, como mostra a
imagem a seguir:
Memória DDR2 acima e DDR abaixo -
Note que a posição da divisão entre os terminais de contato é diferente
Outra
diferença perceptível nos módulos de memória DDR2 é o tipo de encapsulamento
usado: embora possa ser encontrada em outras tecnologias, geralmente utiliza-se
o tipo CSP (Chip Scale Package) com encaixes FBGA (Fine pitch Ball
Grid Array), cuja principal característica é o fato de os terminais do
chip serem pequenas soldas. A vantagem disso é que o sinal elétrico flui mais
facilmente e há menos chances de danos físicos. A memória DDR, por sua vez, é
frequentemente encontrada em encapsulamento TSOP (Thin Small Outline
Package).
On-Die Termination (ODT)
A
memória DDR2 conta com um recurso conhecido como On-Die Termination (ODT).
Trata-se de uma tecnologia que ajuda a evitar erros de transmissão. Para
compreender a utilidade disso é necessário conhecer a chamada "terminação
resistiva".
Os
sinais elétricos sofrem um efeito de retorno quando chegam ao final de um
caminho de transmissão. Grossamente falando, é como se a energia batesse em uma
parede no final de seu caminho e voltasse, como se fosse uma bola. Por motivos
diversos, esse efeito também pode ocorrer no "meio do caminho". No
caso das memórias, esse problema, conhecido como "sinal de reflexão",
pode significar perda de desempenho e necessidade de retransmissão de dados.
Nas
memórias DDR, esse problema é tratado por meio de um método que reduz o sinal
de reflexão a partir de resistores que são adicionados à placa-mãe. É desse
dispositivo que vem o nome "terminação resistiva".
No
padrão DDR2, a terminação resistiva na placa-mãe não se mostrou eficiente,
pelas características físicas desse tipo de memória. Diante desse problema, foi
necessário estudar alternativas e então surgiu o ODT. Nesta tecnologia, a
terminação resistiva fica dentro do próprio chip de memória. Com isso, o
caminho percorrido pelo sinal é menor e há menos ruídos, isto é, menos perda de
dados. Até a placa-mãe acaba se beneficiando dessa tecnologia, já que um
componente deixa de ser adicionado, reduzindo custos de produção. Esse é mais
um motivo pelo qual a memória DDR2 não é compatível com o padrão DDR.
Nomenclatura
Em
relação à nomenclatura, as memórias DDR2 seguem praticamente o mesmo padrão das
memórias DDR, como mostra a tabela a seguir:
Memória
|
Nome alternativo
|
Frequência interna
|
Frequência externa
|
Taxa de transmissão
|
DDR2-400
|
PC2-3200
|
100 MHz
|
200 MHz
|
3.200 MB/s
|
DDR2-533
|
PC2-4200
|
133 MHz
|
266 MHz
|
4.200 MB/s
|
DDR2-667
|
PC2-5300
|
166 MHz
|
333 MHz
|
5.300 MB/s
|
DDR2-800
|
PC2-6400
|
200 MHz
|
400 MHz
|
6.400 MB/s
|
DDR2-1066
|
PC2-8500
|
266 MHz
|
533 MHz
|
8.500 MB/s
|
Vale
frisar que as taxas de transferência são aproximadas e indicam o máximo que
pode ser alcançado. Há também memórias DDR2 com outras especificações, mas
estas são as mais comuns.
Você
pode ter se perguntado sobre o porquê da denominação "PC2-3200" em
relação à memória de 400 MHz (e assim se segue com os outros tipos). O número
3200 indica a quantidade de megabytespor segundo com a qual a memória é capaz de trabalhar. Isso
quer dizer que, no caso da memória de 400 MHz, sua velocidade é de 3.200 MB ou
3,2 GB por segundo.
Dual-Channel
Tal como acontece com as memórias DDR, o tipo DDR2 também pode
contar com Dual-Channel. Trata-se de uma solução que ameniza o
fato de as memórias não acompanhar a velocidade dos processadores. Para isso, o
esquema faz com que as memórias transfiram o dobro de dados por vez. Assim,
3.200 MB por segundo podem ser tornar 6.400 MB por segundo, por exemplo.
Isso
é possível porque, no Dual-Channel, o controlador de memória faz com que os
chips DDR2 possam transferir o dobro de dados por vez, ou seja, em vez de 64
bits (8 bytes), transferem 128 bits (16 bytes).
Para
ativar o esquema Dual-Channel em um computador, é necessário ter um chipset
compatível (ou, se for o caso, um processador). Além disso, é recomendável ter
um ou dois pares (sempre pares) de módulos de memória idênticos (ou, ao menos,
com as mesmas especificações). A igualdade diminui o risco de problemas. Neste
ponto, uma dica interessante é adquirir um kit para Dual-Channel, que oferece
dois pentes de memória DDR próprios para funcionar neste modo.
Consulte
o manual da placa-mãe para saber em quais slots os módulos devem ser instalados
para ativar o modo Dual-Channel, assim como para saber se é necessário alterar
algum parâmetro no setup do BIOS.
ABA INGLÊS 141
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Hello there! I hope you are having a nice Friday. |
Seu progresso: |
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Today we are going to have a look at “there was” and “there were” to see exactly when and how to use them.Hoje vamos estudar “there was” e “there were” para saber quando e como usá-los. We use “there was” and “there were” when we want to say something existed or something was present in the past. Usamos “there was” e “there were” quando queremos dizer que algo existia ou estava presente no passado. * Remember that “there was” and “there were” refer to the past and are the past tense of “there is” and “there are”.* Lembre-se que “there was” e “there were” são as formas no passado de “there is” e “there are”. - We use there was with singular nouns. For example:Usamos “there was” com substantivos singulares. Por exemplo: There was a big garden in the front of the house.Havia/tinha um grande jardim na frente da casa. There was a man at the bus stop.Havia/tinha um homem na paragem do ônibus. - We use there were with plural nouns. For example:Usamos “there were” com substantivos plurais. Por exemplo: There were many travel guides at the bookshop yesterday.Havia/tinha muitos guias de viagem na livraria ontem. There were seven hundred people at the convention last week.Havia/tinha setecentas pessoas no congresso a semana passada. Look at this dialogue between Eric (E) and Pam (P) to see how to use “there was” and “there were” in conversation: E: Were there many people at the show, Pam?Havia/tinha muita gente no espetáculo, Pam? P: Yes, it was packed. You should have come! There was enough room in the car for you.Sim, estava lotado. Você deveria ter vindo! Havia lugar suficiente para você no carro E: I know, I just didn’t feel like going out. There was a great film on TV last night anyway.Eu sei, mais não tinha vontade de sair. Passou um filme muito bom na TV ontem à noite, de qualquer jeito. P: There were amazing decorations set up too around the stage area and there was a new guitar player who I hadn’t seen before.Havia umas decorações incríveis ao redor do palco e também um novo guitarrista que não tinha visto antes. E: It sounds great. Next time I might come along.Parece ótimo. Talvez eu me anime na próxima vez. As you can see, we make questions by placing “was” or “were” at the beginning of the sentence followed by “there.” • Were there many people at the show?Havia/tinha muita gente no espetáculo? • Was there anything good on TV last night?¿Havia/tinha algo algo bom na TV ontem à noite? To form the negative we add “not” to “was” or “were” to form “was not” or “were not.” Alternatively, you can use the contracted forms “wasn’t” or “weren’t”. Look at some examples: • There were not / There weren’t many people at the show.Não havia/tinha muita gente no espetáculo. • There was not / wasn’t anything good on TV last night.Não havia/tinha nada algo bom na TV ontem à noite I hope this has been helpful for you. For more information on this topic, please take a look at unit 64 of the online ABA course. Have a great weekend! Bye for now! |
Priscilla Your ABA Teacher |
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quinta-feira, 11 de janeiro de 2018
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